![[personal profile]](https://www.dreamwidth.org/img/silk/identity/user.png)
2N3819 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 2-20mA, напряжение отсечки max -8V.
2N5458 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 2-6-9mA, напряжение отсечки -1-7V.
2N5460 - JFET P-channel, 40V, начальный ток -1-5mA, напряжение отсечки 0.75-6V.
J201 - JFET N-channel, 40V, начальный ток 0.2-1mA, напряжение отсечки -0.3-1.5V.
J310 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 24-60mA, напряжение отсечки -2-6.5V.
MPF102 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 2-20mA, напряжение отсечки max -8V.
BF256C - JFET N-channel, 30V, начальный ток 11-18mA, напряжение отсечки -0.5-8V.

2N5458 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 2-6-9mA, напряжение отсечки -1-7V.
2N5460 - JFET P-channel, 40V, начальный ток -1-5mA, напряжение отсечки 0.75-6V.
J201 - JFET N-channel, 40V, начальный ток 0.2-1mA, напряжение отсечки -0.3-1.5V.
J310 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 24-60mA, напряжение отсечки -2-6.5V.
MPF102 - JFET N-channel, 25V, начальный ток 2-20mA, напряжение отсечки max -8V.
BF256C - JFET N-channel, 30V, начальный ток 11-18mA, напряжение отсечки -0.5-8V.

Пополнение загашника полевых транзисторов
Date: 2018-02-13 19:52 (UTC)no subject
Date: 2018-02-13 20:36 (UTC)Чисто для экспериментов.
Date: 2018-02-13 21:38 (UTC)